底层存储架构实现国产原创突破 泓德源芯PLF架构系列新品重磅亮相湾芯展
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2026年10月14日，2026湾区半导体产业生态博览会（湾芯展）现场，深圳市泓德源芯科技有限公司于深圳福田会展中心举办PLF（Physical Logic Flash）全新闪存架构暨系列新品发布会。本次发布会完成多重重磅发布：国内原创PLF底层闪存架构、融合PUF物理不可克隆与PQC后量子密码的量子AI存储安全防御方案，以及32Mb‑128Mb SPI NOR全系列商用芯片正式对外亮相。这标志国产非易失性存储在闪存底层物理架构实现从跟随仿制走向源头原创的关键跨越，依托自有全套IP与专利体系，为国内存储产业开辟一条全国产自主可控的全新技术路线。政府代表、院士专家、科研院校、晶圆制造、投资机构、产业链上下游企业及行业媒体齐聚现场，共同见证本土存储底层技术里程碑成果。
院士领衔产学研联动，资深研发团队筑牢技术底座
本次发布会产学研投多方汇聚，产业阵容重磅。中国科学院毛军发院士、上海交通大学刘河洲院士、深圳技术大学创校校长阮双琛，华虹宏力代表，中金、中咨、中信、国信等多家头部投资机构、产业链合作伙伴出席本次活动。
泓德源芯核心技术管理团队集体登台，PLF架构技术创始人李博士，总经理黄裕翔，技术负责人范秀铭等核心骨干，完整披露PLF底层技术原理、工艺迭代路径、量产落地规划以及企业中长期产品矩阵蓝图。
据介绍，泓德源芯核心研发团队由一批拥有25年以上半导体芯片研发与量产实战经验的海内外行业专家组建，覆盖芯片设计、模拟电路、数字芯片、嵌入式软件、IC验证测试全链条能力，具备从产品规格定义、架构开发到商业化量产导入的完整闭环实力，团队过往积累0.18μm‑28nm多代制程项目经验，为PLF架构的落地迭代打下扎实人才基础。公司总部坐落深圳南山，专注存储芯片自主研发设计，核心深耕SPI NOR Flash，同步布局SLC/MLC NAND Flash与下一代前沿存储技术，目标打造高可靠、高安全的国产存储芯片产品。
重构闪存底层物理机制，四大硬核优势构筑技术护城河
行业主流传统浮栅NOR Flash长期受固有物理机理约束，工艺微缩遭遇难以逾越的瓶颈。氧化层微小缺陷即可诱发电荷泄露，造成整颗芯片批量失效，同时还存在单元串扰、光罩成本高、先进制程缩放能力差等行业顽疾，限制闪存向更小工艺节点演进。
泓德源芯PLF架构对存储单元堆栈完成结构性重构，摒弃传统导电多晶硅浮栅，改用绝缘氮化硅作为电荷捕获介质，电子被禁锢在氮化硅内部海量独立深层陷阱位点，搭配隧穿氧化层、阻挡氧化层双层能量屏障，从物理根源抑制电荷逸散。
对比传统浮栅方案，PLF架构拥有四大差异化硬核优势：
一是面积与成本优势：单元结构精简，大幅优化光罩数量，传统浮栅需要8‑12层以上额外光罩，PLF仅需2‑3层非关键光罩，同一片晶圆可产出更多芯片颗粒，有效降低NRE投入与单片制造成本；
二是强大制程扩展能力：天然适配工艺微缩，已经顺利完成65nm向40nm节点迁移，技术路径可进一步延伸至28nm及更先进逻辑制程，解决传统浮栅在40nm以下节点的串扰难题；
三是高可靠兼顾低功耗：局部介质缺陷只会影响少量陷阱单元，不会出现整芯批量失效，产品可覆盖消费、严苛工业工况，正向AEC‑Q100车规标准推进；
四是高度兼容国内CMOS产线：无需对产线做颠覆性改造，完全复用现有逻辑产线设备，依托华虹12英寸成熟产线完成流片验证，大幅降低新技术产业化落地门槛，缩短研发周期。
全系列NOR芯片+量子AI安全方案，多赛道打开国产替代空间
依托PLF原创底层架构，泓德源芯正式推出32Mb‑128Mb SPI NOR商用芯片序列，256Mb高密度产品同步纳入规划。其中32Mb产品落地华虹65nm平台，64Mb完成工艺迁移，128Mb、256Mb高密度产品按节奏推进开发。产品电压规格2.7V‑3.6V，支持SOIC、SOP‑8、WSON‑8主流封装，硬件兼容1‑bit、Dual SPI、Quad‑SPI高速总线，广泛适配AMOLED显示面板、TWS耳机、AR/VR头显、AI‑PC BIOS、车载中控、5G通信基站等高景气场景，覆盖消费、工业、车规多元市场需求。
发布会同步亮相国内领先的量子AI存储安全防御方案。该方案把PUF物理不可克隆硬件架构与NIST标准化PQC后量子密码深度融合，利用芯片制造过程中形成的随机物理差异生成芯片唯一身份根信任；目前PUF硬件架构已经完成实现，PQC后量子密码完成软件验证，正向硬件化开发推进，能够抵御未来量子计算机破解威胁，面向物联网、汽车电子、边缘AI终端提供硬件级安全防护，补齐国产存储硬件安全短板，抢占后量子时代存储安全制高点。
PLF 架构新品正式发布 聚力共建本土存储产业协同生态
新品启动仪式上，泓德源芯与参会嘉宾共同登台，启动 PLF 架构系列新品发布。现场行业代表、高校专家齐聚一堂，围绕本土存储产业高质量发展展开交流研讨，聚焦技术迭代、人才培育、成果转化、市场拓展等方向，进一步夯实产业发展支撑体系。
华虹宏力代表发表祝贺致辞，对双方深度协同予以高度肯定，表示华虹宏力将持续为泓德源芯提供研发试产、产能调配优先保障，全力护航PLF架构芯片量产落地与市场推广。深圳技术大学阮双琛校长围绕半导体产学研融合分享观点，期待双方多维度合作，持续攻坚存储底层核心技术，联合培养产业急需人才，输出更多硬核创新成果。
瞄准SLC/MLC NAND蓝海市场，锚定国产存储长期增长蓝图
放眼全球市场，海外头部大厂正在逐步退出传统2D SLC/MLC NAND赛道，造成全球产能骤减、现货价格大幅上行，国内工业、车规级高可靠存储出现巨大供给缺口，国产化替代空间十分广阔。
基于产业窗口机遇，泓德源芯对外披露中长期发展战略：在现有SPI NOR产品线基础上，持续拓展SLC/MLC NAND完整产品矩阵，卡位工业控制、车载电子、关键基础设施等高可靠赛道。企业明确阶段性发展目标：力争2027年前国内工业级NAND市场份额不低于20%，2030年冲击30%以上市场占比；同时推进全链条垂直整合，持续提升核心零部件本土化率，逐步降低对外封测依赖，打通从芯片设计、晶圆制造、封装测试到市场服务的全链路闭环，对冲单一供应链风险，构建可持续增长飞轮。
业内分析指出，国内存储产业正处在由“国产化可用”迈向“高性能、高可靠、高安全”的关键转型窗口。过去国内存储多数聚焦产品层面的迭代，底层存储架构的原生自主创新属于稀缺突破。泓德源芯PLF闪存架构的发布，跳出海外传统浮栅技术范式，走出一套拥有自有IP与完整专利的本土非易失性存储技术路径。
存储芯片是电子信息产业的基础底座，底层架构自主可控，直接关乎汽车、工业、通信、AI边缘终端等下游产业链供应链安全。PLF架构不只是一家企业的技术成果，也是湾区半导体生态培育、产学研资本多方协同的结晶。接下来，产品持续流片迭代、车规认证推进、规模化良率爬坡与市场导入，将成为检验这套原创技术商业化能力的核心观测点。随着以泓德源芯为代表的本土创新企业持续攻坚，国产存储有望加速渗透高端工业与车载蓝海市场，在全球存储格局重塑进程中，牢牢掌握属于中国半导体产业的底层技术话语权。
